Simulation and Experimental Characterization of a Unified Memory Device with Two Floating-Gates - Inria - Institut national de recherche en sciences et technologies du numérique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Simulation and Experimental Characterization of a Unified Memory Device with Two Floating-Gates

Neil Di Spigna
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1000366
Daniel Schinke
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1000367
Srikant Jayanti
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1000368
Veena Misra
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1000369
Paul Franzon
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1000370

Résumé

The operation of a novel unified memory device using two floating-gates is described through experimental characterization of a fabricated proof-of-concept device and confirmed through simulation. The dynamic, nonvolatile, and concurrent modes of the device are described in detail. Simulations show that the device compares favorably to conventional memory devices. Applications enabled by this unified memory device are discussed, highlighting the dramatic impact this device could have on next generation memory architectures.
Fichier principal
Vignette du fichier
978-3-642-45073-0_12_Chapter.pdf (1.5 Mo) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
Loading...

Dates et versions

hal-01456958 , version 1 (06-02-2017)

Licence

Paternité

Identifiants

Citer

Neil Di Spigna, Daniel Schinke, Srikant Jayanti, Veena Misra, Paul Franzon. Simulation and Experimental Characterization of a Unified Memory Device with Two Floating-Gates. 20th International Conference on Very Large Scale Integration (VLSI-SoC), Aug 2012, Santa Cruz, CA, United States. pp.217-233, ⟨10.1007/978-3-642-45073-0_12⟩. ⟨hal-01456958⟩
118 Consultations
87 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More