A Broadband Power Amplifier Applied in GSM/TD-SCDMA/WLAN System - Inria - Institut national de recherche en sciences et technologies du numérique
Communication Dans Un Congrès Année : 2017

A Broadband Power Amplifier Applied in GSM/TD-SCDMA/WLAN System

Wenyuan Li
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1025786
Yan Ding
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1025787
Hui Luo
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1025788

Résumé

A broadband power amplifier operating from 0.8 GHz to 2.4 GHz is designed in 0.13-μm SiGe HBT process. The power amplifier adopts pseudo-differential structure, adaptive bias control technique, broadband matching network and compensated matching technique to optimize linearity, efficiency and bandwidth. The simulation results show that the maximum power gain is 25 dB, 3-dB bandwidth is 690 MHz - 2470 MHz. P1 dB, Psat and PAE are better than 26 dBm, 29 dBm and 38%, respectively. The chip area of DAC occupies 2.56 mm2 with pads.
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Dates et versions

hal-01675413 , version 1 (04-01-2018)

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Citer

Wenyuan Li, Yan Ding, Hui Luo. A Broadband Power Amplifier Applied in GSM/TD-SCDMA/WLAN System. 15th International Conference on Wired/Wireless Internet Communication (WWIC), Jun 2017, St. Petersburg, Russia. pp.261-270, ⟨10.1007/978-3-319-61382-6_21⟩. ⟨hal-01675413⟩
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