Modélisation du courant de seuil de diodes laser GaAlAs à guidage par l'indice
Résumé
Le comportement d'une diode laser à ruban VSIS au voisinage du seuil est décrit à partir des modèles généraux du guide optique bidimensionnel, du gain optique du matériau, du comportement électrique de la structure. Les propriétés du guidage sont analysées à partir des variations latérales de l'indice effectif complexe. Les relations gain-niveau de courant sont évaluées pour une même famille d'alliages en se basant sur les propriétés du coefficient de création de paires électron-trou. Le courant total qui traverse la structure est calculé à partir des recombinaisons dans la couche active, du courant de conduction et de diffusion dans les couches de confinement, de la répartition latérale des lignes de courant hors du ruban. L'ensemble de ces modèles s'articule pour proposer une méthodologie générale de détermination du courant de seuil, valable pour la plupart des diodes laser à guidage par l'indice.
Mots clés
aluminium compounds
gallium arsenide
III V semiconductors
laser theory
semiconductor device models
semiconductor junction lasers
semiconductor
threshold current
drift current
injection level
VSIS laser diode
models
bidimensional optical guide
optical gain
electron hole pair generation
recombination
diffusion current
spreading current
index guided laser diodes
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