Modélisation du courant de seuil de diodes laser GaAlAs à guidage par l'indice - Inria - Institut national de recherche en sciences et technologies du numérique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Revue de Physique Appliquée Année : 1987

Modélisation du courant de seuil de diodes laser GaAlAs à guidage par l'indice

Françoise Lozes-Dupuy
  • Fonction : Auteur
B. Saint-Cricq
  • Fonction : Auteur
G. Vassilieff
  • Fonction : Auteur
L. Vassilieff
  • Fonction : Auteur
A. Bensoussan
  • Fonction : Auteur

Résumé

Le comportement d'une diode laser à ruban VSIS au voisinage du seuil est décrit à partir des modèles généraux du guide optique bidimensionnel, du gain optique du matériau, du comportement électrique de la structure. Les propriétés du guidage sont analysées à partir des variations latérales de l'indice effectif complexe. Les relations gain-niveau de courant sont évaluées pour une même famille d'alliages en se basant sur les propriétés du coefficient de création de paires électron-trou. Le courant total qui traverse la structure est calculé à partir des recombinaisons dans la couche active, du courant de conduction et de diffusion dans les couches de confinement, de la répartition latérale des lignes de courant hors du ruban. L'ensemble de ces modèles s'articule pour proposer une méthodologie générale de détermination du courant de seuil, valable pour la plupart des diodes laser à guidage par l'indice.
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Dates et versions

jpa-00245708 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

Françoise Lozes-Dupuy, B. Saint-Cricq, G. Vassilieff, L. Vassilieff, A. Bensoussan. Modélisation du courant de seuil de diodes laser GaAlAs à guidage par l'indice. Revue de Physique Appliquée, 1987, 22 (11), pp.1561-1569. ⟨10.1051/rphysap:0198700220110156100⟩. ⟨jpa-00245708⟩
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