BILAS : intégration monolithique d'un phototransistor et d'une diode laser sur GaAs en vue de la réalisation de fonctions optiques - Inria - Institut national de recherche en sciences et technologies du numérique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Revue de Physique Appliquée Année : 1987

BILAS : intégration monolithique d'un phototransistor et d'une diode laser sur GaAs en vue de la réalisation de fonctions optiques

A. Cazarre
  • Fonction : Auteur
A. Marty
  • Fonction : Auteur
J.P. Bailbe
  • Fonction : Auteur
A. Bensoussan
  • Fonction : Auteur
Françoise Lozes-Dupuy
  • Fonction : Auteur
S. Nacer
  • Fonction : Auteur

Résumé

L'intégration monolithique et verticale par E.P.L. d'un circuit optoélectronique associant une diode laser GaAlAs type VSIS et un phototransistor à hétérojonction GaAlAs/GaAs par E.P.L. est réalisée. Un couplage optique entre les deux composants, débouchant sur une fonction de « monostable optique » est mis en évidence et analysé.
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Dates et versions

jpa-00245632 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

A. Cazarre, A. Marty, J.P. Bailbe, A. Bensoussan, Françoise Lozes-Dupuy, et al.. BILAS : intégration monolithique d'un phototransistor et d'une diode laser sur GaAs en vue de la réalisation de fonctions optiques. Revue de Physique Appliquée, 1987, 22 (8), pp.913-917. ⟨10.1051/rphysap:01987002208091300⟩. ⟨jpa-00245632⟩

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