BILAS : intégration monolithique d'un phototransistor et d'une diode laser sur GaAs en vue de la réalisation de fonctions optiques
Résumé
L'intégration monolithique et verticale par E.P.L. d'un circuit optoélectronique associant une diode laser GaAlAs type VSIS et un phototransistor à hétérojonction GaAlAs/GaAs par E.P.L. est réalisée. Un couplage optique entre les deux composants, débouchant sur une fonction de « monostable optique » est mis en évidence et analysé.
Mots clés
gallium arsenide
III V semiconductors
integrated optoelectronics
optical information processing
phototransistors
semiconductor junction lasers
switches
semiconductor
BILAS
monolithic integration
phototransistor
optical functions
VSIS laser diode
heterojunction bipolar phototransistor
LPE
switching function
optical coupling
GaAs
GaAlAs
Domaines
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