HIGH TEMPERATURE LATTICE PARAMETERS OF ZnSiP2, ZnGeP2 AND CdGeP2 - Inria - Institut national de recherche en sciences et technologies du numérique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal de Physique Colloques Année : 1975

HIGH TEMPERATURE LATTICE PARAMETERS OF ZnSiP2, ZnGeP2 AND CdGeP2

A. J. Miller
  • Fonction : Auteur
R. Humphreys
  • Fonction : Auteur
B. Chapman
  • Fonction : Auteur

Résumé

The variation of the lattice parameters from room temperature to 1.100 °C have been studied for the chalcopyrite semiconductors, ZnSiPn2, ZnGeP2 and CdGeP2 using a high temperature X-ray camera. All three compounds show an increase in the tetragonal compression with temperature. The results are interpreted in terms of the thermal expansions of the II-V and IV-V bonds.

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jpa-00216276 , version 1 (04-02-2008)

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Citer

A. J. Miller, R. Humphreys, B. Chapman. HIGH TEMPERATURE LATTICE PARAMETERS OF ZnSiP2, ZnGeP2 AND CdGeP2. Journal de Physique Colloques, 1975, 36 (C3), pp.C3-31-C3-34. ⟨10.1051/jphyscol:1975306⟩. ⟨jpa-00216276⟩

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